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2N7002W-7-F
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:115 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:13.5 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長(zhǎng)度:2.2 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:2N7002W

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

類(lèi)型:Enhancement Mode Field Effect Transistor

寬度:1.35 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns

典型接通延遲時(shí)間:7 ns

單位重量:28 mg

2N7002W-7-F

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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2N7002W-7-F	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1012.61 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)