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2N7002T-7
規(guī)格信息：

RoHS指令信息：RoHS Cert of Compliance

標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：-

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：115mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：7.5 歐姆 @ 50mA，5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：-

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：50pF @ 25V

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-523

供應(yīng)商器件封裝：SOT-523

其它名稱：2N7002TDITR

2N7002T-7

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
2N7002T-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	112.82 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
2N7002T-7-01-F	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：115mA 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：2V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：7.5Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 類型：N溝道	DIODES(美臺)	435.29 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
2N7002T-7-F	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	447.74 Kbytes	共4頁	CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CED703AL,2N7002W_1,CEM2108,CEM4282,CEM8208,CEP09N7A	產(chǎn)品購買
2N7002T-7-F	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	89.55 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
2N7002T-7-F	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]	288.82 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
2N7002T-7-F	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	112.82 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買