系列2N
單位重量8 mg
高度1 mm
長度2.9 mm
類型Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度1.3 mm
最大工作溫度+ 150 C
最小工作溫度- 55 C
安裝風格SMD/SMT
配置Single
下降時間5.6 ns
典型接通延遲時間7 ns
上升時間3 ns
Vgs-柵極-源極電壓20 V
Pd-功率耗散300 mW
通道數(shù)量1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流115 mA
Vds-漏源極擊穿電壓70 V
晶體管類型1 N-Channel
RdsOn-漏源導通電阻7.5 Ohms
通道模式Enhancement
晶體管極性N-Channel
典型關閉延遲時間11 ns
正向跨導-最小值0.08 S
FET類型N 溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)60V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）115mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）370mW（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）7.5 歐姆 @ 50mA，5V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs