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2N5819
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類Transistors Bipolar (BJT)

晶體管極性PNP

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO40 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO- 5 V

最大直流電集電極電流0.75 A

直流集電極/Base Gain hfe Min150 at 2 mA at 2 V

最大工作頻率135 MHz

最大工作溫度+ 150 C

安裝風(fēng)格Through Hole

封裝 / 箱體TO-92

封裝Box

最小工作溫度- 65 C

功率耗散625 mW

工廠包裝數(shù)量2000

介紹圖2N5819
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
2N5819COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)162.69 Kbytes共2頁2N5819的PDF文件地址NTE38,CJD41C,BCP68T1,BCP68,BSR33,FMMT493A,FZT1047A,FZT600,FZT790A,ZTX1151A 2N5819的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
2N5819BJTS, SI PNP LO-PWR NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)92.03 Kbytes共1頁2N5819的PDF文件地址 2N5819的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
2N5819COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)80.93 Kbytes共1頁2N5819的PDF文件地址 2N5819的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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