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2N5629
規(guī)格信息:

制造商:Central Semiconductor

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

RoHS:

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3-2

晶體管極性:NPN

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V

集電極—基極電壓 VCBO:100 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V

集電極—射極飽和電壓:2 V

最大直流電集電極電流:16 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:1 MHz

最小工作溫度:- 60 C

最大工作溫度:+ 200 C

系列:2N5629

封裝:Tube

商標(biāo):Central Semiconductor

集電極連續(xù)電流:0.45 A

直流集電極/Base Gain hfe Min:4 at 16 A, 2 V

Pd-功率耗散:200 W

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量:20

子類別:Transistors

零件號(hào)別名:2N5629 TIN/LEAD

單位重量:6.401 g

介紹圖2N5629
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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