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2N5583
規(guī)格信息：

Series-

PackageBox

Transistor TypePNP

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30V

Frequency - Transition1.3GHz

Noise Figure (dB Typ @ f)-

Gain-

Power - Max1W

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 100mA, 2V

Current - Collector (Ic) (Max)500mA

Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)

Mounting TypeThrough Hole

Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Supplier Device PackageTO-39

介紹圖2N5583
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
2N5583Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)21.05 Kbytes共1頁(yè)2N5583的PDF文件地址BFT81,2N5864,V765,MJ8100,2N3782,BFT62,BFT80,2N5781,BUW23,MJ2253 2N5583的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
2N5583PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)119.08 Kbytes共1頁(yè)2N5583的PDF文件地址 2N5583的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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