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產(chǎn)品種類Transistors Bipolar (BJT)
晶體管極性PNP
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO12 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO- 4.5 V
最大直流電集電極電流0.2 A
直流集電極/Base Gain hfe Min15 at 1 mA at 0.5 V
配置Single
最大工作頻率700 MHz
最大工作溫度+ 150 C
安裝風格Through Hole
封裝 / 箱體TO-18
封裝Box
最小工作溫度- 65 C
功率耗散500 mW
工廠包裝數(shù)量2000
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