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2N3868S
規(guī)格信息：

包裝：3TO-39

類型：PNP

引腳數(shù)：3

最大集電極發(fā)射極電壓：60 V

集電極最大直流電流：3 A

最小直流電流增益：35@500mA@1V|[email protected]@2V|[email protected]@3V|20@3A@5V

最大集電極發(fā)射極飽和電壓：0.5@50mA@500mA|0.75@[email protected]|1.5@[email protected] V

工作溫度：-55 to 200 °C

最大功率耗散：1000 mW

安裝：Through Hole

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Bulk

2N3868S

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
2N3868S	Silicon PNP Power Transistors	MICROSEMI[Microsemi Corporation]	56.35 Kbytes	共2頁	UP2518,2N6059_03,NJT4030P,2N5194_06,2N6667_05,MMJT350T1_06,MMJT9435,D45H8_03,2N2955_05,BD533_03	產(chǎn)品購買
2N3868S	PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR	MICROSEMI[Microsemi Corporation]	121.29 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
2N3868SMD	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed	SEME-LAB[Seme LAB]	14.67 Kbytes	共1頁		產(chǎn)品購買
2N3868SMD05	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed	SEME-LAB[Seme LAB]	15.41 Kbytes	共1頁		產(chǎn)品購買