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2N1131L
規(guī)格信息:

包裝:3TO-5

類型:PNP

引腳數:3

最大集電極發(fā)射極電壓:40 V

集電極最大直流電流:0.6 A

最小直流電流增益:20@150mA@10V|15@5mA@10V

最大集電極發(fā)射極飽和電壓:1.3@15mA@150mA V

最大集電極基極電壓:50 V

工作溫度:-65 to 200 °C

最大功率耗散:600 mW

安裝:Through Hole

標準包裝:Bulk

介紹圖2N1131L
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2N1131LLOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網56.61 Kbytes共3頁2N1131L的PDF文件地址2N5415,NTE14,UPA1437,UPA1436H,2SB891,UPA1457H,2SA1156,MRF553,2SB1429,2SB1217 2N1131L的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
2N1131LBipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網15.26 Kbytes共1頁2N1131L的PDF文件地址 2N1131L的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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