廠商介紹：
MoSys, Inc. 近 20 年來一直在開發(fā)基于存儲器的產(chǎn)品。該公司業(yè)務(wù)始于 1-T（晶體管）存儲器 IP 的開發(fā)。1 T-SRAM 的訪問速度接近 SRAM，但其支持的密度接近 RLDRAM。大多數(shù)存儲器制造商都將注意力集中在存儲器的速度或密度上，并認為一個尺寸就會適合所有。作為 MoSys 存儲器發(fā)展的一部分，在許多系統(tǒng)中完成的常見任務(wù)被識別并作為存儲器內(nèi)置功能添加到內(nèi)存中，以加快執(zhí)行速度。這創(chuàng)建了加速器引擎系列。
這些加速器引擎是大型高速存儲器，現(xiàn)在可選配存儲期內(nèi)中加速器功能，是否使用這種加速器引擎取決于需要更高級別性能的應(yīng)用。每個加速器引擎都是多功能組合：1）576 Mb 或 1.152 Gb 高容量存儲器，且 tRC 為 3.2 ns；2）高速嵌入式存儲內(nèi)功能（智能），包括 BURST 和 RMW；3）MoSys 提供的高帶寬 RTL 控制器。
Blazar 加速器引擎系列為系統(tǒng)架構(gòu)師/設(shè)計師提供了加速選項，其中包括任何競爭產(chǎn)品都無法提供的軟件和硬件選項。
廠商官網(wǎng)：https://www2.perasoinc.com/